MOSFET tranzistor s P-kanálem v pouzdře SO-8 (SMD). Určen pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, DC-DC měničích a řídicích obvodech s nižšími výkony.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál (tranzistor s indukovaným kanálem)
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm, SMD)
- Maximální napětí Uds: 20 V
- Maximální proud Id: 7,7 A
- Maximální výkon: 2,5 W
- Odpor kanálu (Ron): 40 mΩ
- Certifikace: RoHS
Využití
Vhodný pro spínání v nižkovoltních obvodech, ochranných a řídicích aplikacích, kde je vyžadován P-kanálový MOSFET s nízkým odporem kanálu. Používá se v bateriových systémech, nabíječkách a průmyslové elektronice.