Duální MOSFET tranzistor s P-kanálem v pouzdře SO-8. Určen pro spínací aplikace v nízkofrekvenčních obvodech, řízení zátěží a výkonových stupňů.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál, duální (2× tranzistor v jednom pouzdře)
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
- Nízký odpor kanálu (Ron): 58 mΩ
- Certifikace: RoHS
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 30 V
- Maximální proud Id
- 4,9 A
- Maximální výkon
- 2,0 W
- Pouzdro
- SO-8 SMD
- Výrobce
- IRF (International Rectifier)
Využití
Vhodný pro spínací zdroje, řídící obvody, ochranu baterií, přepínače zátěží a další aplikace vyžadující nízký odpor kanálu a spolehlivé spínání. Duální provedení umožňuje použití v symetrickém zapojení nebo jako dva nezávislé tranzistory.