Duální N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SO-8 určený pro spínací aplikace a výkonové obvody. Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní spínání s minimálními ztrátami.
Vlastnosti
- Duální N-kanálový MOSFET v jednom pouzdře
- Maximální napětí mezi drain a source: 30 V
- Maximální proud drain: 4,9 A
- Maximální výkon: 2,0 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 50 mΩ
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory IRF7303 se používají v nízkofrekvenčních spínacích aplikacích, řídicích obvodech, DC-DC měničích, LED ovladačích a dalších výkonových elektronických zařízeních. Duální konfigurace umožňuje použití v můstkovém zapojení nebo paralelní kombinaci pro zvýšení proudu.