Duální MOSFET tranzistor s kanálem P (PMOS) v pouzdře SO-8. Určen pro spínací aplikace s nižšími napětími a proudy, typicky v řídících obvodech, spínačích a logických úrovňových převodech.
Vlastnosti
- Typ: Duální MOSFET, kanál P (PMOS)
- Závěrné napětí (Uds): 20 V
- Maximální proud (Id): 2,3 A
- Maximální výkon: 2 W
- Odpor kanálu (Ron): 250 mΩ
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET IRF7104PBF se používá v nízkopříkonových spínacích aplikacích, řídících obvodech, logických úrovňových převodech a ochranných obvodech. Duální provedení umožňuje realizaci komplementárních spínačů nebo paralelní zapojení pro zvýšení proudové kapacity.