Duální N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SO-8 určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších obvodech vyžadujících nízký odpor kanálu.
Vlastnosti
- Typ: Duální N-kanálový MOSFET
- Maximální napětí Uds: 50 V
- Maximální proud Id: 3 A
- Maximální výkon: 2 W
- Odpor kanálu (Ron): 130 mΩ
- Pouzdro: SO-8 (SMD, výška 3,9 mm)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRF7103 se používají v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, řídicích obvodech a dalších aplikacích, kde je potřeba spolehlivé spínání s nízkými ztrátami. Duální konfigurace umožňuje použití v můstkovém zapojení nebo jako dva nezávislé spínače.