Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain a source: 200 V
- Maximální proud drain: 9,3 A
- Maximální výkon: 82 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 300 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB (přední chladič)
- Certifikace: RoHS
Využití
MOSFET tranzistory řady IRF630 se používají v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínacích regulátorech, invertorech a dalších výkonových elektronických obvodech. Vhodný pro aplikace vyžadující nižší odpor kanálu a vysokou spínací frekvenci.