Unipolární tranzistor (MOSFET) typu N-kanál určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, N-kanál, řízený polem
- Pouzdro: TO-220 (3 vývody)
- Maximální napětí mezi drain a source: 200 V
- Maximální proud drain: 9 A
- Maximální výkon: 75 W
- Odpor kanálu v otevřeném stavu (RDS(on)): 0,4 Ω
Využití
MOSFET IRF630 se používá v lineárních a spínaných zdrojích, DC-DC měničích, výkonových zesilovačích a dalších aplikacích vyžadujících řízené spínání vysokých proudů. Nízký odpor kanálu minimalizuje ztráty a umožňuje efektivní přepínání. Vhodný pro profesionální servisy, vývojové projekty a průmyslové aplikace.