Výkonový MOSFET tranzistor s P-kanálem určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, P-kanál (obohacovací)
- Pouzdro: D2PAK (SMD)
- Maximální napětí mezi drain a source: 100 V
- Maximální proud drain: 38 A
- Maximální výkon: 170 W
- Odpor kanálu (RDS(on)): 60 mΩ
- Certifikace: RoHS
Využití
Tranzistor se používá v měničích, spínacích zdrojích, řídicích obvodech a dalších aplikacích vyžadujících spínání vyšších proudů a napětí. Nízký odpor kanálu minimalizuje ztráty a umožňuje efektivní spínání.