Výkonový MOSFET tranzistor kanálu P (P-channel) od společnosti IRF. Určen pro spínací aplikace vyžadující vysoký výkon a nízký odpor v sepnutém stavu.
Vlastnosti
- Typ: MOSFET, kanál P (P-channel)
- Maximální napětí Uds: 100 V
- Maximální proud Id: 40 A
- Maximální výkon: 200 W
- Odpor v sepnutém stavu (Ron): 60 mΩ
- Pouzdro: TO-220AB
- Certifikace: RoHS (LF — Lead Free)
Využití
Využívá se v napájecích zdrojích, spínaných regulátorech, měničích napětí, motorových řídících obvodech a dalších aplikacích, kde je třeba spínat větší výkony. Nízký odpor Ron minimalizuje ztráty tepla a zvyšuje účinnost obvodu.