Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor IRF3808PBF určený pro spínací aplikace s vysokým proudem. Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a výkonové obvody vyžadující nízký odpor v propustném stavu.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 75 V
- Maximální proud drain: 75 A
- Maximální výkon: 330 W
- Odpor v propustném stavu (RDS on): 7 mΩ (při VGS = 10 V)
- Pouzdro: TO-220AB
- Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
Využití
IRF3808PBF se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, invertorech, řídících obvodech motorů a dalších aplikacích s vysokým výkonem. Nízký odpor RDS on zajišťuje minimální ztráty a vysokou účinnost. Vhodný pro průmyslové i laboratorní použití.