N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším výkonem. Vhodný pro spínané zdroje, měniče, řídící obvody a výkonové spínače.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: D2PAK (SMD) — vhodné pro povrchovou montáž s dobrým odvětem tepla
- Nízký kanálový odpor — minimalizuje ztráty při spínání
- Vysoká propustnost (transconductance) — rychlé přepínání
- Certifikace RoHS — bez škodlivých látek
Využití
Používá se v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, PWM regulátorech, výkonových spínačích a řídicích obvodech. Vhodný pro aplikace vyžadující vysoký spínací proud a nízké ztráty.
Technické parametry
- Model
- IRF1010ZS
- Maximální napětí Uds
- 55 V
- Maximální proud Id
- 75 A
- Maximální výkon
- 140 W
- Kanálový odpor Ron
- 7,5 mΩ
- Pouzdro
- D2PAK (SMD)