Výkonný N-kanálový MOSFET tranzistor řady HEXFET určený pro spínací aplikace s vysokými proudy. Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní spínání s minimálními ztrátami.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Maximální napětí mezi drain-source: 60 V
- Maximální proud drain: 84 A
- Maximální výkon: 200 W
- Odpor kanálu (RDS): 12 mΩ
- Pouzdro: TO-263 (D2PAK) — SMD provedení
- Řada: HEXFET (International Rectifier)
Využití
MOSFET IRF1010ES se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínačích pro motory, nabíječkách a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokých proudů při nízkém napětí. Nízký odpor kanálu minimalizuje tepelné ztráty a zvyšuje účinnost systému. Vhodný pro profesionální servisy, průmyslové aplikace a vývojové projekty.