MOSFET IRF1010ES, N-kanál, 60V/84A, TO-263 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

MOSFET tranzistor IRF1010ES, N-kanál, 60 V / 84 A, TO-263

MOSFET tranzistor IRF1010ES, N-kanál, 60 V / 84 A, TO-263
Cena nyní (s DPH):
76,- Kč
bez DPH
63,-
ks


    2ks k dispozici
    Zboží doručíme do 3 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
    Kód: h_c907a

  • Výkonný N-kanálový MOSFET tranzistor řady HEXFET určený pro spínací aplikace s vysokými proudy. Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní spínání s minimálními ztrátami.

    Vlastnosti

    • Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
    • Maximální napětí mezi drain-source: 60 V
    • Maximální proud drain: 84 A
    • Maximální výkon: 200 W
    • Odpor kanálu (RDS): 12 mΩ
    • Pouzdro: TO-263 (D2PAK) — SMD provedení
    • Řada: HEXFET (International Rectifier)

    Využití

    MOSFET IRF1010ES se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínačích pro motory, nabíječkách a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokých proudů při nízkém napětí. Nízký odpor kanálu minimalizuje tepelné ztráty a zvyšuje účinnost systému. Vhodný pro profesionální servisy, průmyslové aplikace a vývojové projekty.

Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku