Nízkovýkonový N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SOT-23. Určen pro spínací aplikace v nízkopříkonových obvodech, logických úrovních a řídících funkcích.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: SOT-23 (SMD)
- Maximální napětí mezi drain-source: 60 V
- Maximální proud drain: 115 mA
- Maximální výkon: 225 mW
- Odpor kanálu (Ron): 2 Ω
- Certifikace: RoHS
Využití
Vhodný pro spínání nízkopříkonových zátěží, logické obvody, řídící signály, ochranu baterií, ovládání LED a malých motorů. Často se používá v digitálních obvodech, měřicích přístrojích a průmyslové elektronice.