Nízkovýkonový N-kanálový MOSFET tranzistor v pouzdře SOT-23. Určen pro spínací aplikace v nízkých výkonech, zejména v digitálních obvodech a řídících signálech.
Vlastnosti
- Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)
- Pouzdro: SOT-23 (SMD)
- Nízký odpor kanálu (Ron) pro minimální ztráty
- Vhodný pro logické úrovně a spínání
- RoHS kompatibilní
Technické parametry
- Maximální napětí Uds
- 60 V
- Maximální proud Id
- 115 mA
- Maximální výkon
- 0,36 W
- Odpor kanálu (Ron)
- 7,5 Ω
- Pouzdro
- SOT-23
Využití
MOSFET 2N7002-G se používá v digitálních obvodech, logických úrovňových převodníků, řídících signálech a spínacích aplikacích s nízkým výkonem. Typické použití v mikrořídících systémech, senzorových modulech a signálových obvodech.