Izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET s galvanickým oddělením mezi vstupem a výstupem. Součástka je vhodná pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující izolaci.
Vlastnosti
- Izolační napětí: 5 kV
- Napájení: 10 až 32 V DC
- Prahové napětí UVLO: 13 V
- Pouzdro: DUB8 (6,4 mm)
- Teplotní rozsah: -40 až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF)
Využití
Budič se používá v průmyslových měničích, DC-DC konvertorech, spínaných zdrojích a dalších aplikacích, kde je nutné galvanické oddělení mezi řídicím obvodem a výkonovým stupněm. Typicky se aplikuje v kombinaci s výkonovými tranzistory IGBT nebo MOSFET.