Izolační budič určený pro řízení IGBT a MOSFET tranzistorů v průmyslových aplikacích. Poskytuje galvanické oddělení mezi řídicím obvodem a výkonovým stupněm.
Vlastnosti
- Izolační napětí: 5,7 kV
- Napětí UVLO (Under Voltage Lock Out): 13 V
- Výstupní napětí: 3 V / 25 V
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Pouzdro: SO16 (7,5 mm)
- Certifikace: RoHS (LF — Lead Free)
Využití
Budič se používá v měničích, měnivačích, spínacích zdrojích a dalších aplikacích s výkonovými polovodiči, kde je vyžadováno galvanické oddělení mezi řídicí a výkonovou částí obvodu. Vhodný pro průmyslové a automobilové aplikace.
Technické parametry
- Model
- NSI6602C-DSWR
- Izolační napětí
- 5,7 kV
- UVLO
- 13 V
- Výstupní napětí
- 3 V / 25 V
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Pouzdro
- SO16
- Norma
- RoHS (LF)