Izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET v topologiích spínaných zdrojů a měničů. Součástka zajišťuje galvanickou izolaci mezi řídící a výkonovou částí obvodu.
Vlastnosti
- Počet kanálů: 2
- Galvanická izolace: 3 kV
- Napájení řídící strany: 2,7 V až 5 V
- Prahové napětí UVLO: 8 V
- Pouzdro: SO16 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF — bez olova)
Využití
Budič se používá v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, měničích napětí a dalších aplikacích s IGBT či MOSFET tranzistory, kde je vyžadována izolace mezi řídící a výkonovou částí. Typické použití v průmyslové elektronice, automobilové technice a energetických aplikacích.
Technické parametry
- Model
- NSI6602B-DSPNR
- Počet kanálů
- 2
- Izolační napětí
- 3 kV
- Napájení (řídící strana)
- 2,7 V až 5 V DC
- Prahové napětí UVLO
- 8 V
- Pouzdro
- SO16
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Norma
- RoHS (LF)