Jednokanálový izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET. Součástka zajišťuje izolaci mezi řídicím obvodem a výkonovým stupněm s izolační pevností 3 kV.
Vlastnosti
- Počet kanálů: 1
- Izolační pevnost: 3 kV
- Napájecí napětí logiky: 3,1 V až 17 V
- Prahové napětí UVLO: 9 V
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
- Certifikace: RoHS (LF)
Využití
Budič se používá v aplikacích s galvanickou izolací mezi řídicím obvodem a výkonovým stupněm, zejména v měničích, invertorech, spínaných zdrojích a dalších aplikacích s IGBT či MOSFET tranzistory. Izolace 3 kV poskytuje bezpečnost v systémech s vyšším napětím.