Izolační budič IGBT/MOSFET NSI6601C-DSPR, SO8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Izolační budič IGBT/MOSFET NSI6601C-DSPR, SO8

Izolační budič IGBT/MOSFET NSI6601C-DSPR, SO8
Cena nyní (s DPH):
84,- Kč
bez DPH
69,-
ks


    10ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: NOV
  • Kód: em_83092

  • Izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET s galvanickým oddělením mezi vstupem a výstupem. Součástka zajišťuje bezpečné spínání výkonových prvků v průmyslových aplikacích.

    Vlastnosti

    • Izolace: 3 kV
    • Napájení výstupu: 3 V až 17 V
    • Prahové napětí (UVLO): 13 V
    • Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
    • Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
    • Certifikace: RoHS

    Využití

    Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích a dalších aplikacích s výkonovými IGBT či MOSFET tranzistory, kde je vyžadováno galvanické oddělení mezi řídicí a výkonovou částí obvodu.

Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku