Izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET s galvanickým oddělením mezi vstupem a výstupem. Součástka zajišťuje bezpečné spínání výkonových prvků v průmyslových aplikacích.
Vlastnosti
- Izolace: 3 kV
- Napájení výstupu: 3 V až 17 V
- Prahové napětí (UVLO): 13 V
- Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS
Využití
Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích a dalších aplikacích s výkonovými IGBT či MOSFET tranzistory, kde je vyžadováno galvanické oddělení mezi řídicí a výkonovou částí obvodu.