Izolační budič určený pro řízení IGBT a MOSFET tranzistorů v průmyslových aplikacích. Součástka zajišťuje galvanickou izolaci mezi řídicím obvodem a výkonovým stupněm.
Vlastnosti
- Počet kanálů: 2
- Galvanická izolace: 5,7 kV
- Napájení primární strany: 3 až 18 V
- Napájení sekundární strany: 3 až 18 V
- Prahové napětí UVLO: 12 V
- Pouzdro: SO16 (7,5 mm)
- Teplotní rozsah: -40 až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF — bez olova)
Využití
Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, pohonech elektromotorů a dalších aplikacích, kde je nutná izolace mezi nízkonapěťovým řídícím obvodem a vysokonapěťovým výkonovým stupněm. Dvoukanálové provedení umožňuje řízení komplementárních nebo paralelních tranzistorů.