Izolační budič určený pro řízení tranzistorů IGBT a MOSFET s galvanickým oddělením primární a sekundární strany. Součástka s dvojkanálovým výstupem a vysokou izolační pevností.
Vlastnosti
- Počet kanálů: 2
- Izolační napětí: 5,7 kV
- Napájení primární strany: 3–18 V
- Napájení sekundární strany: 3–18 V
- Prahové napětí UVLO (podpěťové vypnutí): 8 V
- Pouzdro: SO-16 (7,5 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS, LF (olověné)
Využití
Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, solárních měničích a dalších aplikacích s IGBT či MOSFET tranzistory, kde je vyžadováno galvanické oddělení mezi řídící a výkonovou částí obvodu. Dvojkanálové provedení umožňuje řízení komplementárních nebo paralelních tranzistorů.