Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8

Obrázek zatím chybí
Cena nyní (s DPH):
11,98Kč
bez DPH
10,-
ks


    Minimálně lze objednat 50 ks
    Aktuálně 6600ks na externím skladu v EU
    Orientační doručení do 10 - 14 dnů. Upřesnění termínu na [email protected]
  • Výrobce: Infineon Technologies
  • Kód: c_3026354

  • Parametry

    Množství: 1 ks
    Výrobce: Infineon Technologies
    Kanálů: 2
    Typ pouzdra (polovodiče): SO-8
    Typ tranzistoru: N-kanál · P-kanál
    Typ (výrobce): IRF7105PBF-GURT
    Způsob montáže: povrchová montáž
    I(d): 3.5 A
    Výkon Pmax: 2.0 W
    R(DS)(on): 0.4 Ω
    Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 25 V
    Kategorie produktu: tranzistor MOSFET

    EAN: 2050009792978
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku