IGBT tranzistor G60N60BN3H, 600V/60A : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

IGBT tranzistor G60N60BN3H, 600 V / 60 A, TO-3PL

IGBT tranzistor G60N60BN3H, 600 V / 60 A, TO-3PL
Cena nyní (s DPH):
237,- Kč
bez DPH
196,-
ks


    110ks k dispozici
    Zboží doručíme do 3 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
    Kód: h_c339a

  • IGBT tranzistor (bipolární tranzistor s izolovanou bránou) určený pro spínací aplikace v průmyslové elektronice. Kombinuje výhody bipolárního tranzistoru a tranzistoru s efektem pole — vysoký vstupní odpor, nízký úbytek napětí v propustném stavu a rychlé přepínání.

    Vlastnosti

    • Maximální napětí kolektor–emitor: 600 V
    • Maximální proud kolektoru: 60 A
    • Pouzdro: TO-3PL (přírubové, vhodné pro montáž na chladič)
    • Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Nízký úbytek napětí v propustném stavu
    • Rychlé přepínací charakteristiky

    Využití

    Typické aplikace zahrnují spínané zdroje, měniče DC/DC, měniče DC/AC (invertory), svařovací přístroje, průmyslové regulátory a další výkonové spínací obvody. Pouzdro TO-3PL umožňuje přímou montáž na chladič pro efektivní odvod tepla.

    Technické parametry

    Model
    G60N60BN3H
    Maximální napětí
    600 V
    Maximální proud
    60 A
    Pouzdro
    TO-3PL
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku