IGBT tranzistor (bipolární tranzistor s izolovanou bránou) určený pro spínací aplikace v průmyslové elektronice. Kombinuje výhody bipolárního tranzistoru a tranzistoru s efektem pole — vysoký vstupní odpor, nízký úbytek napětí v propustném stavu a rychlé přepínání.
Vlastnosti
- Maximální napětí kolektor–emitor: 600 V
- Maximální proud kolektoru: 60 A
- Pouzdro: TO-3PL (přírubové, vhodné pro montáž na chladič)
- Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Nízký úbytek napětí v propustném stavu
- Rychlé přepínací charakteristiky
Využití
Typické aplikace zahrnují spínané zdroje, měniče DC/DC, měniče DC/AC (invertory), svařovací přístroje, průmyslové regulátory a další výkonové spínací obvody. Pouzdro TO-3PL umožňuje přímou montáž na chladič pro efektivní odvod tepla.
Technické parametry
- Model
- G60N60BN3H
- Maximální napětí
- 600 V
- Maximální proud
- 60 A
- Pouzdro
- TO-3PL