IGBT tranzistor od společnosti Fairchild určený pro spínané aplikace s vyšším napětím a proudem. Kombinuje výhody bipolárního tranzistoru a FET — nízký úbytek napětí v sepnutém stavu a snadné řízení pomocí napěťového signálu.
Vlastnosti
- Typ: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Výrobce: Fairchild
- Maximální napětí kolektor–emitor: 600 V
- Maximální proud kolektoru: 160 A
- Pouzdro: TO-3PL (3-pin, pro vysoké proudy)
- Nízký úbytek napětí v sepnutém stavu
- Rychlé přepínání
Využití
Používá se v průmyslových spínačích, měničích, UPS zdrojích, svářečích, indukčních ohřívačích a dalších aplikacích vyžadujících spínání vysokých napětí a proudů. Vhodný pro DC-DC měniče, invertory a řídící obvody s PWM modulací.