Dvoukanálový budič MOSFET/IGBT s nízkou stranou (low-side) určený pro spínací aplikace. Základní provedení pro běžné řízení výkonových tranzistorů v průmyslových a průmyslových zařízeních.
Vlastnosti
- Počet kanálů: 2
- Typ řízení: Low-side (nízká strana)
- Maximální výstupní proud: 5 A
- Napájecí napětí: 4,5 až 20 V
- Pouzdro: SOP-8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF)
Využití
Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích a dalších aplikacích vyžadujících řízení MOSFET či IGBT tranzistorů. Vhodný pro profesionální elektronické systémy a průmyslové zařízení.