Budič MOSFET MIC5021YM, high-side, 12–36 V, SO8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Budič MOSFET MIC5021YM, high-side, 12–36 V, SO8

Obrázek zatím chybí
Cena nyní (s DPH):
184,- Kč
bez DPH
152,-
ks


    2ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: MCP
    • Kód: em_85878

  • Budič MOSFET/IGBT pro řízení výkonových tranzistorů v topologiích spínaných zdrojů a měničů. Určen pro high-side (horní větev) řízení s podporou napětí 12–36 V DC a teplotním rozsahem -40 až +85 °C.

    Vlastnosti

    • Typ: High-side budič MOSFET/IGBT
    • Napájecí napětí: 12–36 V DC
    • Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
    • Teplotní rozsah: -40 až +85 °C
    • Certifikace: RoHS (LF — bez olova)

    Využití

    Budič se používá v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, měničích napětí a dalších aplikacích vyžadujících přesné řízení výkonových MOSFET či IGBT tranzistorů. Vhodný pro průmyslové a automobilové aplikace.

    Technické parametry

    Model
    MIC5021YM
    Typ pouzdra
    SO8
    Napájecí napětí
    12–36 V
    Teplotní rozsah
    -40 až +85 °C
    Certifikace
    RoHS
Otázky a odpovědi k tomuto produktu
❓  Zeptat se

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku