Budič MOSFET MIC5014YM, 30V, SO8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Budič MOSFET MIC5014YM, H+L side, 2,75–30 V, SO8

Obrázek zatím chybí
Cena nyní (s DPH):
130,- Kč
bez DPH
107,-
ks


    3ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: MCP
    • Kód: em_85877

  • Budič MOSFET/IGBT s vysokou a nízkou stranou (H+L side driver) určený pro řízení výkonových tranzistorů v měničích a spínacích zdrojích. Neinvertující logika, provoz v rozsahu napětí 2,75 až 30 V DC.

    Vlastnosti

    • Budič s vysokou a nízkou stranou (half-bridge driver)
    • Neinvertující vstupní logika
    • Rozsah napájení: 2,75 až 30 V DC
    • Teplotní rozsah: -40 až +85 °C
    • Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
    • Certifikace: RoHS (LF)

    Využití

    Budič je určen pro řízení MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích half-bridge (půlmůstek), např. v DC-DC měničích, měničích napětí, spínacích zdrojích a výkonových aplikacích. Neinvertující vstup umožňuje přímé řízení bez dodatečné logiky.

    Technické parametry

    Model
    MIC5014YM
    Typ
    Budič MOSFET/IGBT, H+L side
    Napájení
    2,75 až 30 V DC
    Teplotní rozsah
    -40 až +85 °C
    Pouzdro
    SO8 (3,9 mm)
    RoHS
    Ano (LF)
Otázky a odpovědi k tomuto produktu
❓  Zeptat se

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku