Integrovaný budič MOSFET/IGBT typu půlmůstek (half-bridge) s nezávislými kanály pro horní a dolní tranzistor. Určen pro řízení výkonových spínačů v měničích, měnidlech a dalších aplikacích se spínaným výkonem.
Vlastnosti
- Typ: Budič půlmůstku (H-side a L-side kanál)
- Pouzdro: VQFN-16 (3 × 3 mm), SMD
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
- Nezávislé řízení horního a dolního kanálu
- Vhodný pro MOSFET i IGBT tranzistory
Využití
Budič se používá v měničích stejnosměrného napětí (DC-DC), měnidlech (DC-AC), spínaných zdrojích, motorových regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících přesné řízení výkonových spínačů. Typicky se kombinuje s výkonovými MOSFET nebo IGBT tranzistory v topologii půlmůstku.
Technické parametry
- Model
- MIC4600YML-TR
- Pouzdro
- VQFN-16 (3 × 3 mm)
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- RoHS
- Ano (bezolovnatý)