Integrovaný budič MOSFET/IGBT tranzistorů MCP14E9-E/SN určený pro řízení výkonových spínačů v napěťovém rozsahu do 18 V. Pouzdro SO-8 (3,9 mm) s nízkou impedancí výstupu umožňuje rychlé přepínání s proudem až 3 A.
Vlastnosti
- Maximální výstupní proud: 3 A
- Maximální napětí napájení: 18 V
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm), povrchová montáž
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF — bez olova)
- Nízká impedance výstupu pro rychlé přepínání
Využití
Budič se používá v spínaných zdrojích, DC-DC měničích, PWM regulátorech a dalších aplikacích vyžadujících řízení MOSFET či IGBT tranzistorů. Vhodný pro průmyslové i spotřební elektroniku s nižšími napětími.
Technické parametry
- Model
- MCP14E9-E/SN
- Maximální výstupní proud
- 3 A
- Maximální napětí
- 18 V
- Pouzdro
- SO-8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Provedení
- RoHS (LF)