Budič MOSFET/IGBT MCP14E9-E/P určený pro řízení výkonových tranzistorů v spínaných zdrojích, měničích a dalších aplikacích vyžadujících rychlé přepínání.
Vlastnosti
- Maximální výstupní proud: 3 A
- Napájecí napětí: 18 V
- Pouzdro: DIP-8
- Provozní teplota: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS
Využití
Budič se používá v DC-DC měničích, spínaných zdrojích, měničích napětí a dalších aplikacích, kde je potřeba kvalitní řízení MOSFET či IGBT tranzistorů. Vhodný pro průmyslové a spotřebitelské elektronické zařízení.
Technické parametry
- Model
- MCP14E9-E/P
- Výstupní proud
- 3 A
- Napájecí napětí
- 18 V
- Pouzdro
- DIP-8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Certifikace
- RoHS