Budič MOSFET MCP14E10-E/SN, 3 A, 18 V, SO-8

Budič MOSFET nízké strany (low-side driver) určený pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v průmyslových aplikacích, spínaných zdrojích a měničích.

Vlastnosti

• Typ: Budič MOSFET nízké strany (low-side driver)
• Maximální výstupní proud: 3 A
• Napájecí napětí: 18 V
• Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
• Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
• Certifikace: RoHS (LF — olovo bez obsahu)

Využití

Budič se používá v aplikacích vyžadujících řízení výkonových spínačů — spínané napájecí zdroje, DC-DC měniče, motorové řidiče, invertory a průmyslové řídicí obvody. Nízká strana (low-side) znamená, že tranzistor je umístěn mezi zátěží a zemí.

Technické parametry

Model

MCP14E10-E/SN

Typ budiče

Low-side driver

Výstupní proud

3 A

Napájecí napětí

18 V

Pouzdro

SO-8

Teplotní rozsah

-40 °C až +125 °C