Budič MOSFET/IGBT s nízkou stranou (low-side driver) a invertovaným výstupem. Určen pro řízení výkonových tranzistorů v spínaných zdrojích, měničích a dalších aplikacích vyžadujících přesné a rychlé spínání.
Vlastnosti
- Typ: Low-side MOSFET/IGBT budič s invertovaným výstupem
- Výstupní proud: 1,5 A
- Vstupní napětí: 4,5 až 18 V
- Pouzdro: SOT23-6 (SMD)
- Teplotní rozsah: -40 až +125 °C
- RoHS: LF (bez olova)
Využití
Budič se používá v napájecích zdrojích, DC-DC měničích, spínaných regulátorech a dalších aplikacích, kde je třeba řídit MOSFET nebo IGBT tranzistor. Invertovaný výstup umožňuje přímé řízení tranzistorů v nízkostranné konfiguraci. Kompatibilní s logickými obvody pracujícími v rozsahu 4,5 až 18 V.