Integrovaný budič MOSFET/IGBT tranzistorů MCP14700-E/SN od výrobce Microchip. Určen pro řízení výkonových polovodičů v spínaných zdrojích, měničích a dalších aplikacích vyžadujících kvalitní ovládání brány tranzistoru.
Vlastnosti
- Typ: Budič MOSFET/IGBT s vysokou a nízkou stranou (H+L side driver)
- Maximální výstupní proud: 2 A
- Napájecí napětí: až 5,5 V
- Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
- Pracovní teplota: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS
Využití
Budič se používá v spínaných zdrojích, DC-DC měničích, střídačích a dalších aplikacích, kde je potřeba kvalitní ovládání brány MOSFET nebo IGBT tranzistoru. Vhodný pro domácí a amatérské projekty, prototypování a vývojové desky.
Technické parametry
- Model
- MCP14700-E/SN
- Výstupní proud
- 2 A
- Maximální napájecí napětí
- 5,5 V
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Pouzdro
- SO8