Integrovaný budič MOSFET/IGBT tranzistorů IR21531SPB určený pro řízení výkonových spínačů v topologiích půlmůstku. Obvod obsahuje nezávislé kanály pro horní a dolní spínač s vlastní ochranou a ovládáním.
Vlastnosti
- Budič pro půlmůstek (high-side a low-side kanál)
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF — olověný)
- Vhodný pro MOSFET i IGBT tranzistory
Využití
Budič se používá v měničích, spínaných zdrojích, motorových řídičích a dalších aplikacích s výkonovou elektronikou, kde je potřeba přesné a rychlé řízení výkonových tranzistorů. Nezávislé kanály umožňují řízení obou spínačů půlmůstku bez nutnosti galvanického oddělení.
Technické parametry
- Model
- IR21531SPB
- Pouzdro
- SO-8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Topologie
- Půlmůstek (H-side a L-side)
- Norma
- RoHS (LF)