Integrovaný budič MOSFET/IGBT IR2104S od výrobce IRF určený pro řízení výkonových tranzistorů v topologiích s půlmůstkem. Součástka je určena pro profesionální aplikace v oblasti spínaných zdrojů, měničů a pohonů.
Vlastnosti
- Typ: Budič MOSFET/IGBT s půlmůstkem
- Model: IR2104S
- Pouzdro: SO-8 (SMD), rozměr 3,9 mm
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- Certifikace: RoHS (LF)
- Balení: ks (jednotlivě)
Využití
Budič IR2104S se používá v aplikacích vyžadujících řízení výkonových MOSFET nebo IGBT tranzistorů — typicky v invertorech, DC-DC měničích, spínaných zdrojích a motorových pohonech. Půlmůstková topologie umožňuje řízení dvou tranzistorů v komplementární konfiguraci.