Budič MOSFET/IGBT NSD1624-DSPR, půlmůstek, SO8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Budič MOSFET/IGBT NSD1624-DSPR, půlmůstek, SO8

Budič MOSFET/IGBT NSD1624-DSPR, půlmůstek, SO8
Cena nyní (s DPH):
50,- Kč
bez DPH
41,-
ks


    95ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: NOV
  • Kód: em_84017

  • Integrovaný budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s topologií půlmůstku. Obsahuje nezávislé řízení horní (high-side) a dolní (low-side) větve s ochranou proti průrazu.

    Vlastnosti

    • Topologie: půlmůstek (H+L side driver)
    • Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
    • Teplotní rozsah: -40 °C až +150 °C
    • Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
    • Nezávislé řízení horní a dolní větve
    • Ochrana proti průrazu (shoot-through protection)

    Využití

    Budič je určen pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v aplikacích jako jsou spínané zdroje, měniče, invertory, motorové řidiče a další výkonové elektronické obvody. Půlmůstková topologie umožňuje efektivní řízení obousměrného toku energie.

    Technické parametry

    Model
    NSD1624-DSPR
    Typ
    Budič MOSFET/IGBT
    Topologie
    Půlmůstek
    Pouzdro
    SO8
    Teplotní rozsah
    -40 °C až +150 °C
    Norma
    RoHS
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku