Integrovaný budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s topologií půlmůstku. Obsahuje nezávislé řízení horní (high-side) a dolní (low-side) větve s ochranou proti průrazu.
Vlastnosti
- Topologie: půlmůstek (H+L side driver)
- Pouzdro: SO8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +150 °C
- Certifikace: RoHS (bezolovnatý)
- Nezávislé řízení horní a dolní větve
- Ochrana proti průrazu (shoot-through protection)
Využití
Budič je určen pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v aplikacích jako jsou spínané zdroje, měniče, invertory, motorové řidiče a další výkonové elektronické obvody. Půlmůstková topologie umožňuje efektivní řízení obousměrného toku energie.
Technické parametry
- Model
- NSD1624-DSPR
- Typ
- Budič MOSFET/IGBT
- Topologie
- Půlmůstek
- Pouzdro
- SO8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +150 °C
- Norma
- RoHS