Budič MOSFET/IGBT IR2113SPBF, 600 V, SO-16

Vysokonapěťový budič IR2113S určený pro řízení MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horním a dolním spínačem (half-bridge, full-bridge). Integruje všechny potřebné funkce pro bezpečné a efektivní spínání výkonových prvků.

Vlastnosti

• Maximální napětí: 600 V
• Výstupní proud: 2 A (horní kanál) / 2 A (dolní kanál)
• Doba zpoždění horního kanálu: 120 ns
• Doba zpoždění dolního kanálu: 94 ns
• Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
• Pouzdro: SO-16 (7,5 mm)
• Certifikace: RoHS (LF)

Využití

Budič IR2113S se používá v měničích, spínaných zdrojích, UPS systémech, solárních měničích a dalších aplikacích s výkonovou elektronikou, kde je potřeba řízení MOSFET nebo IGBT tranzistorů s galvanickým oddělením mezi horním a dolním kanálem. Nízké zpoždění šíření signálu zajišťuje přesné časování spínání.

Technické parametry

Model

IR2113SPBF

Maximální napětí

600 V

Výstupní proud horní kanál

2 A

Výstupní proud dolní kanál

2 A

Zpoždění horní kanál

120 ns

Zpoždění dolní kanál

94 ns

Teplotní rozsah

-40 °C až +125 °C

Pouzdro

SO-16

Norma

RoHS