Integrovaný budič (driver) IR2111 určený pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s půlmůstkem. Obvod zajišťuje galvanické oddělení a generuje řídicí signály s vysokou výstupní impedancí.
Vlastnosti
- Maximální napětí: 600 V
- Výstupní proud HIGH: 200 mA
- Výstupní proud LOW: 420 mA
- Doba náběhu: 750 ns
- Doba pádu: 150 ns
- Pracovní teplota: -40 °C až +125 °C
- Pouzdro: DIP-8
- Certifikace: RoHS (Lead-Free)
Využití
Budič IR2111 se používá v měničích, spínaných zdrojích, UPS systémech, solárních měničích a dalších aplikacích s půlmůstkovými nebo můstkovými topologiemi. Obvod řídí horní a dolní tranzistor s vhodným časováním a zajišťuje jejich bezpečné spínání.
Technické parametry
- Model
- IR2111PBF
- Maximální napětí
- 600 V
- Výstupní proud (HIGH)
- 200 mA
- Výstupní proud (LOW)
- 420 mA
- Doba náběhu
- 750 ns
- Doba pádu
- 150 ns
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Pouzdro
- DIP-8
- Norma
- RoHS (Lead-Free)