Vysokonapěťový budič IR2110 určený pro řízení výkonových MOSFET a IGBT tranzistorů v topologiích s horní a dolní větví (half-bridge, full-bridge). Obvod zajišťuje galvanické oddělení a správné časování signálů pro spínané zdroje a měniče.
Vlastnosti
- Budič pro horní a dolní tranzistor (high-side a low-side)
- Galvanicky oddělené výstupy
- Nízké zpoždění šíření signálu
- Pouzdro: DIP-14
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- RoHS kompatibilní (Lead-Free)
Využití
IR2110 se používá v pulzně-šířkově modulovaných (PWM) měničích, invertorech, DC-DC konvertorech a dalších aplikacích vyžadujících přesné řízení výkonových spínačů. Typické použití v průmyslové elektronice, pohonech a napájecích zdrojích.
Technické parametry
- Model
- IR2110PBF
- Typ
- Budič MOSFET/IGBT
- Pouzdro
- DIP-14
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Certifikace
- RoHS (Lead-Free)