Integrovaný budič pro MOSFET a IGBT tranzistory s podporou vysoké a nízké strany (high-side a low-side). Určen pro spínané zdroje, měniče a další výkonové aplikace pracující s vyšším napětím.
Vlastnosti
- Budič pro high-side a low-side tranzistory
- Maximální napětí: 600 V
- Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
- Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
- RoHS kompatibilní (LF)
Využití
IR2106SPBF se používá v měničích stejnosměrného napětí (DC-DC), třífázových měničích, spínaných zdrojích a dalších výkonových obvodech, kde je potřeba řídit MOSFET nebo IGBT tranzistory. Obvod zajišťuje správné časování a izolaci mezi high-side a low-side kanály.
Technické parametry
- Model
- IR2106SPBF
- Maximální napětí
- 600 V
- Pouzdro
- SO-8
- Teplotní rozsah
- -40 °C až +125 °C
- Norma
- RoHS (LF)