Budič IR2101S, MOSFET/IGBT, SO-8 : Půhy.cz
Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Budič MOSFET/IGBT IR2101S, SO-8, vysokonapěťový

Budič MOSFET/IGBT IR2101S, SO-8, vysokonapěťový
Cena nyní (s DPH):
53,- Kč
bez DPH
44,-
ks


    2ks k dispozici
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: IRF
  • Kód: em_02226

  • Vysokonapěťový budič MOSFET a IGBT tranzistorů IR2101S od společnosti IRF. Určen pro řízení horního a dolního spínače v topologiích typu half-bridge (H-bridge) s galvanickým oddělením.

    Vlastnosti

    • Budič pro horní a dolní spínač (high-side a low-side)
    • Galvanické oddělení mezi kanály
    • Pouzdro: SO-8 (3,9 mm)
    • Teplotní rozsah: -40 °C až +125 °C
    • Certifikace: RoHS, bez olova (LF)
    • Standardní provedení pro průmyslové aplikace

    Využití

    Budič IR2101S se používá v měničích, spínaných zdrojích, měnidlech, solárních inverterech a dalších aplikacích vyžadujících řízení výkonových tranzistorů MOSFET nebo IGBT. Galvanické oddělení umožňuje bezpečné řízení obou spínačů v half-bridge konfiguraci bez rizika zkratu.

    Technické parametry

    Model
    IR2101S
    Typ
    Budič MOSFET/IGBT
    Kanály
    2 (horní a dolní spínač)
    Pouzdro
    SO-8
    Teplotní rozsah
    -40 °C až +125 °C
    Norma
    RoHS (bez olova)
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku