Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP149H6327XTSA1 N-kanálový 660 mA 200 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP149H6327XTSA1 N-kanálový 660 mA 200 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
  • AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP149H6327XTSA1 N-kanálový 660 mA 200 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
  • AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP149H6327XTSA1 N-kanálový 660 mA 200 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
Cena nyní (s DPH):
57,- Kč
bez DPH
47,-
ks


    301 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Infineon
  • Kód: o_3545720

  • BSP149

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 660mA
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 200V
    • Typ balení: SOT-223
    • Řada: SIPMOS
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 4
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 1.8Ω
    • Režim kanálu: Vyčerpání
    • Přímé napětí (Vf): 1.2V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): -20, +20V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 1.8W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 11nC
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku