AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK055N60E-T1-GE3 N-kanálový 42 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
Cena nyní (s DPH):
286,- Kč
bez DPH
236,-
ks


    2050 ks k dispozici
    Zboží doručíme do 7 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Vishay
  • Kód: o_2398636

  • SIHK055N60E-T1-GE3

    Parametry

    • Typ kanálu: N
    • Typ produktu: Výkonový MOSFET
    • Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 42A
    • Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V
    • Typ balení: PowerPAK 10 x 12
    • Řada: E
    • Typ montáže: Povrch
    • Počet kolíků: 8
    • Maximální odpor zdroje (Rds): 0.056Ω
    • Režim kanálu: Vyčerpání
    • Přímé napětí (Vf): 1.2V
    • Maximální napětí zdroje brány (Vgs): 30V
    • Maximální ztrátový výkon (Pd): 236W
    • Minimální provozní teplota: -55°C
    • Typický náboj brány (Qg) @ Vgs: 54nC