Minimálně lze objednat 10 ks
Více než 50ks k dispozici.
Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
- Výrobce: Infineon Technologies
Kód: c_153047
-
Obohacený P kanál
Parametry
Množství: 1 ks
Výrobce: Infineon Technologies
Kanálů: 1
Typ pouzdra (polovodiče): TO-236-3
Typ tranzistoru: P-kanál
Série (polovodiče): SIPMOS®
Vlastnost tranzistoru: hradlo s logickou úrovní
Zkratka výrobce (součástky): INF
Typ (výrobce): BSS83P
Způsob montáže: povrchová montáž
C(ISS): 78 pF
Referenční napětí C(ISS): 25 V
I(d): 330 mA
Provozní teplota (max.): +150 °C
Provozní teplota (min.): -55 °C
Výkon Pmax: 360 mW
Q(G): 3.57 nC
Referenční napětí Q(G): 10 V
R(DS)(on): 2 Ω
Referenční proud R(DS)(on): 330 mA
Referenční napětí R(DS)(on): 10 V
U(GS)(th) max. referenční proud: 80 µA
U(DSS): 60 V
U(GS)(th) max.: 2 V
Typ: BSS 83 P
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 V
Kategorie produktu: tranzistor MOSFET
EAN: 2050000020445