Novinky

STEVAL-MKI179V1Parametry Typ produktu: Vývojový nástroj pro snímače Technologie snímačů: Akcelerometrový snímač Klasifikace sady: Deska adaptéru Název sady: LIS2DW12 s paticí DIL24

X-NUCLEO-PLM01A1Parametry Klasifikace sady: Sada pro hodnocení Typ produktu: Komunikační a bezdrátový vývojový nástroj Technologie: modemPSK, FSK Pro použití s: STM32 Nucleo Doporu

STEVAL-IDP003V1Parametry Typ produktu: Vývojový nástroj pro snímače Technologie snímačů: Infračervený snímač Klasifikace sady: Vyhodnocovací deska Název sady: L6362A IO-Link Normy/

P-NUCLEO-USB002Parametry Klasifikace sady: Sada pro hodnocení Typ produktu: Komunikační a bezdrátový vývojový nástroj Pro použití s: NUCLEO-F072RB Doporučené zařízení: STM32F072RB,

NUCLEO-L452RE-PParametry Klasifikace sady: Vývojová deska Typ produktu: Vyhodnocovací deska Název sady: STM32 Nucleo-64 Technologie: MCU Jádro zařízení: ARM Mbed Název řady proceso

NUCLEO-L433RC-PParametry Klasifikace sady: Vývojová deska Typ produktu: Vyhodnocovací deska Název sady: STM32 Nucleo-64 Technologie: MCU Jádro zařízení: ARM Mbed Název řady proceso

STEVAL-XPLM01CPLParametry Klasifikace sady: Modul Typ produktu: Komunikační a bezdrátový vývojový nástroj Pro použití s: SM6T15CA Doporučené zařízení: X-NUCLEO-PLM01A1 Název sady:

1463875Parametry Typ produktu: Štípací kleště Podtyp: Nůžky na kabely Nevytváří jiskry: Ano Celková délka: 160mm Splňuje normu VDE/1000V: Ano Bezpečná výška: NE Dávkovač pájení dru

1463876Parametry Typ produktu: Štípací kleště Podtyp: Nůžky na kabely Nevytváří jiskry: Ne Celková délka: 160mm Splňuje normu VDE/1000V: Ne Bezpečná výška: NE Dávkovač pájení druhé

S 16350 001Parametry Rozvržení klávesnice: 4 x 4 Typ produktu: Klávesnice proti vandalismu Počet kláves: 16 Materiál pouzdra: ZAMAK 5 Výstup klávesnice: Matice Stupeň krytí IP: IP6

S 12100 241Parametry Rozvržení klávesnice: 4 x 3 Typ produktu: Klávesnice proti vandalismu Počet kláves: 12 Materiál pouzdra: ZAMAK 5 Výstup klávesnice: Společný bod Osvětlené: Ano

S 12100 001Parametry Rozvržení klávesnice: 4 x 3 Typ produktu: Klávesnice proti vandalismu Počet kláves: 12 Materiál pouzdra: ZAMAK 5 Výstup klávesnice: Společný bod Osvětlené: Ne

IXYH25N250CHVParametry Maximální trvalý kolektorový proud (Ic): 25A Typ produktu: XPTTM IGBT Maximální napětí kolektoru (Vceo): 2500V Maximální ztrátový výkon (Pd): 937W Typ balení

IXYT25N250CHVParametry Maximální trvalý kolektorový proud (Ic): 25A Typ produktu: IGBT Maximální napětí kolektoru (Vceo): 2500V Maximální ztrátový výkon (Pd): 937W Typ balení: TO-2

IXYX25N250CV1HVParametry Maximální trvalý kolektorový proud (Ic): 95A Typ produktu: IGBT Maximální napětí kolektoru (Vceo): 2500V Maximální ztrátový výkon (Pd): 937W Typ balení: PL

IXFP80N25X3Parametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 80A Maximální napětí na zdroji (Vds): 250V Typ balení: TO-220 Řada: HiperFET Typ mon

IXFH60N65X2HVParametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 60A Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V Typ balení: TO-247 Řada: HiperFET Typ m

IXFT60N65X2HVParametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 60A Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V Typ balení: TO-268 Řada: HiperFET Typ m

IXFB90N85XParametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 90A Maximální napětí na zdroji (Vds): 850V Typ balení: PLUS264 Řada: HiperFET Typ mon

IXFN110N85XParametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 110A Maximální napětí na zdroji (Vds): 850V Typ balení: SOT-227 Řada: HiperFET Typ m

IXFN150N65X2Parametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 145A Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V Typ balení: SOT-227 Řada: HiperFET Typ

IXFA80N25X3Parametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 80A Maximální napětí na zdroji (Vds): 250V Typ balení: TO-263 Řada: HiperFET Typ mon

IXYH30N170CV1Parametry Maximální trvalý kolektorový proud (Ic): 100A Typ produktu: IGBT Maximální napětí kolektoru (Vceo): 1700V Maximální ztrátový výkon (Pd): 937W Typ balení: TO-

IXFN170N65X2Parametry Typ kanálu: N Typ produktu: MOSFET Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id): 170A Maximální napětí na zdroji (Vds): 650V Typ balení: SOT-227 Řada: HiperFET Typ