Nezařazené - součástky

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, řidiče motorů a další výkonové obvody Vlastnosti Typ: N-kan

Triak určený pro spínání střídavého proudu v průmyslových aplikacích a regulaci výkonu Vhodný pro řízení motorů, topidel a dalších induktivních zátěží Vlastnosti Závěrné napětí:

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem Nízký odpor kanálu umožňuje efektivní přepínání v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Vlas

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor IRF IRL8113PBF určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží Nízký kanálový odpor zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztrátami Vlas

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a výkonové spínače Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem a výkonem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, řídící obvody a výkonové spínače Vlastnosti Typ: N-kanálový

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem a výkonem Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos energie a minimální ztráty tepla Vlastnosti Typ:

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším proudem a napětím Vhodný pro spínané zdroje, měniče a výkonové řídící obvody Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace a výkonové obvody Vhodný pro spínané zdroje, měniče a řídicí obvody vyžadující nízký odpor kanálu a vysokou spínací frekve

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a další výkonové aplikace Vlastnosti Typ: N-kanálový MO

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším výkonem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, řídící obvody a výkonové spínače Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (u

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšší zátěží Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a další výkonové obvody Vlastnosti Typ: N-kaná

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vyšším napětím a proudem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a výkonové zesilovače Vlastnosti T

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané aplikace s vysokým proudem a výkonem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, motorové řidiče a výkonové zesilovače Vlastnosti

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace s vysokými proudy Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor) Maximální n

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace s vysokými proudy a napětími Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET (unipolární tranzistor)

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínané zdroje, měniče a výkonové aplikace vyžadující vysoký proud a nízký odpor v propustném směru Vlastnosti Typ: N-kanál MOSFET

Výkonový N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace s vysokým proudem a výkonem Vhodný pro spínané zdroje, měniče, invertory a výkonové řídící obvody Vlastnosti Typ

Výkonový MOSFET tranzistor s P-kanálem (vodivostní kanál typu P) určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a regulátorech Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní

MOSFET tranzistor P-kanálový určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech Standardní součástka pro řízení zátěží, spínače a ochranné obvody Vlastnosti Typ: MOSFET, P-ka

P-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v nízkovýkonových obvodech Součástka s nízkým odporem kanálu je vhodná pro řízení zátěží, spínání a ochranu v napájecích z

N-kanálový výkonový MOSFET tranzistor IRF710PBF určený pro spínací aplikace v napěťovém rozsahu do 400 V Základní součástka pro spínače, měniče a řídicí obvody

N-kanálový MOSFET tranzistor určený pro spínací aplikace v napěťových zdrojích, měničích a dalších výkonových obvodech Vlastnosti Typ: N-kanálový MOSFET Maximální napětí Uds: 400

MOSFET tranzistor kanálu P určený pro spínací aplikace v napájecích zdrojích, měničích a řídicích obvodech Nízký odpor kanálu zajišťuje efektivní přenos výkonu s minimálními ztrát