Minimálně lze objednat 20 ks
Více než 50ks k dispozici.
Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
- Výrobce: Infineon Technologies
Kód: c_152902
-
Typ s obohaceným N kanálem
Parametry
Množství: 1 ks
Výrobce: Infineon Technologies
Kanálů: 1
Typ pouzdra (polovodiče): TO-236-3
Typ tranzistoru: N-kanál
Série (polovodiče): OptiMOS™
Vlastnost tranzistoru: hradlo s logickou úrovní
Zkratka výrobce (součástky): INF
Typ (výrobce): BSS123NH
Způsob montáže: povrchová montáž
C(ISS): 20.9 pF
Referenční napětí C(ISS): 25 V
I(d): 190 mA
Provozní teplota (max.): +150 °C
Provozní teplota (min.): -55 °C
Výkon Pmax: 500 mW
Q(G): 0.9 nC
Referenční napětí Q(G): 10 V
R(DS)(on): 6 Ω
Referenční proud R(DS)(on): 190 mA
Referenční napětí R(DS)(on): 10 V
U(GS)(th) max. referenční proud: 13 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 1.8 V
Typ: BSS 123
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 V
Kategorie produktu: tranzistor MOSFET
EAN: 2050000019296