Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Infineon Technologies IRF1018EPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W TO-220AB

Infineon Technologies IRF1018EPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W TO-220AB
Cena nyní (s DPH):
48,- Kč
bez DPH
40,-
ks


    Minimálně lze objednat 2 ks
    Více než 50ks k dispozici.
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Infineon Technologies
  • Kód: c_160859

  • Parametry

    Množství: 1 ks
    Výrobce: Infineon Technologies
    Kanálů: 1
    Typ pouzdra (polovodiče): TO-220AB
    Typ tranzistoru: N-kanál
    Série (polovodiče): HEXFET®
    Vlastnost tranzistoru: standardní
    Zkratka výrobce (součástky): INF
    Typ (výrobce): IRF1018EPBF
    Provedení: N kanál
    Způsob montáže: průchozí otvor
    C(ISS): 2290 pF
    Referenční napětí C(ISS): 50 V
    I(d): 79 A
    Provozní teplota (max.): +175 °C
    Provozní teplota (min.): -55 °C
    Výkon Pmax: 110 W
    Q(G): 69 nC
    Referenční napětí Q(G): 10 V
    R(DS)(on): 8.4 mΩ
    Referenční proud R(DS)(on): 47 A
    Referenční napětí R(DS)(on): 10 V
    U(GS)(th) max. referenční proud: 100 µA
    U(DSS): 60 V
    U(GS)(th) max.: 4 V
    Typ: IRF1018EPBF
    Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 V
    Typ pouzdra: TO-220AB
    Kategorie produktu: tranzistor MOSFET

    EAN: 2050001539861
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku