Výprodej součástek za skvělé ceny zde
Volejte +420 464 601 222 (Po-Pá 8-17h)

Infineon Technologies IRF1010E tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-220

Infineon Technologies IRF1010E tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-220
Cena nyní (s DPH):
48,- Kč
bez DPH
40,-
ks


    Více než 50ks k dispozici.
    Zboží doručíme do 4 pracovních dnů na Vaši adresu v rámci ČR i na Slovensko
  • Výrobce: Infineon Technologies
  • Kód: c_162358

  • Parametry

    Množství: 1 ks
    Výrobce: Infineon Technologies
    Kanálů: 1
    Typ pouzdra (polovodiče): TO-220
    Typ tranzistoru: N-kanál
    Série (polovodiče): HEXFET®
    Vlastnost tranzistoru: standardní
    Zkratka výrobce (součástky): INF
    Typ (výrobce): IRF1010E
    Provedení: HEXFET
    Způsob montáže: průchozí otvor
    C(ISS): 3210 pF
    Referenční napětí C(ISS): 25 V
    I(d): 84 A
    Provozní teplota (max.): +175 °C
    Provozní teplota (min.): -55 °C
    Výkon Pmax: 200 W
    Q(G): 130 nC
    Referenční napětí Q(G): 10 V
    R(DS)(on): 12 mΩ
    Referenční proud R(DS)(on): 50 A
    Referenční napětí R(DS)(on): 10 V
    U(GS)(th) max. referenční proud: 250 µA
    U(DSS): 60 V
    U(GS)(th) max.: 4 V
    Typ: IRF 1010 E
    Popis: 60 V/81 A
    Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 V
    Kategorie produktu: tranzistor MOSFET

    EAN: 2050000040597
Otázky a odpovědi k tomuto produktu

Zatím zde není žádná otázka ani odpověď k tomuto zboží. Buďte první, kdo se zeptá :-)

Recenze & Hodnocení výrobku